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STGP6M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGP6M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie M
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 21.2nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 88W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Testbedingung 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGP6
Schalten der Energie 40µJ (on), 136µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 12ns/86ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr) 140ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 12A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 24A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 1640 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.18 $1.16 $1.13
Minimale: 1

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