Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

STGD4M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGD4M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie M
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 15.2nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 68W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Testbedingung 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGD4
Schalten der Energie 40µJ (on), 136µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 12ns/86ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 4A
Reverse Recovery Time (trr) 133ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 8A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 16A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 7287 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXXX200N60C3
IXYS
$19.4
IXYX30N170CV1
IXYS
$18.48
IXXX200N65B4
IXYS
$17.71
IRG4PSC71UDPBF
Infineon Technologies
$14.3
IXYH82N120C3
IXYS
$14.11