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STGB15M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGB15M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 45nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 136W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 400V, 15A, 12Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGB15
Schalten der Energie 90µJ (on), 450µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 24ns/93ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 15A
Reverse Recovery Time (trr) 142ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 60A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 1945 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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