STD8N60DM2
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STD8N60DM2 |
Beschreibung: | N-CHANNEL 600 V, 0.26 OHM TYP., |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | MDmesh™ DM2 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Basis-Teilenummer | STD8N |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 600mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 85W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DPAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 13.5nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 375pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 343 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1