STB7NK80Z-1
Hersteller: | STMicroelectronics |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STB7NK80Z-1 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | SuperMESH™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Basis-Teilenummer | STB7N |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.8Ohm @ 2.6A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 125W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | I2PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 56nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1138pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.2A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 76 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$1.52 | $1.49 | $1.46 |
Minimale: 1