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STB6NK60Z-1

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB6NK60Z-1
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) 30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basis-Teilenummer STB6N
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 1.2Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 46nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 905pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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