Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
STB35N60DM2
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | STB35N60DM2 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 28A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | MDmesh™ DM2 |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Basis-Teilenummer | STB35N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 110mOhm @ 14A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 210W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 54nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2400pF @ 100V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 28A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 59 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $4.98 | $4.88 | $4.78 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
