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STB33N60M2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB33N60M2
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 26A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ II Plus
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer STB33N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 125mOhm @ 13A, 10V
Verlustleistung (Max.) 190W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 45.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1781pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 26A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 302 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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