Image is for reference only , details as Specifications

STB23NM60N

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB23NM60N
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer STB23N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 60nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2050pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STD8NM60N
STMicroelectronics
$0
STT2PF60L
STMicroelectronics
$0
STD60N3LH5
STMicroelectronics
$0
STD7NM50N
STMicroelectronics
$0
STD10NM65N
STMicroelectronics
$0