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STB200NF04L-1

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB200NF04L-1
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie STripFET™ II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basis-Teilenummer STB200N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.8mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 300W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 90nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 52 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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