Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
STB19NM65N
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | STB19NM65N |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | MDmesh™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Cut Tape (CT) |
| Vgs (Max.) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Basis-Teilenummer | STB19N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 270mOhm @ 7.75A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 150W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 55nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1900pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 15.5A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 776 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.31 | $6.18 | $6.06 |
Minimale: 1
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