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STB18NM80

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB18NM80
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer STB18N
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 295mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 190W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 70nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2070pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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