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STB155N3LH6

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB155N3LH6
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer STB155N
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3mOhm @ 40A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 80nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3800pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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