Image is for reference only , details as Specifications
STB12NM60N-1
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | STB12NM60N-1 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | MDmesh™ II |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tube |
| Vgs (Max.) | ±25V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Basis-Teilenummer | STB12N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 410mOhm @ 5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 90W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | I2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 30.5nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 960pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 76 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
Anforderungsangebot
Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.
Bargain Finds
