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STB11NM60FDT4

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STB11NM60FDT4
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FDmesh™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Teilenummer STB11N
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -
Rds On (Max) bei Id, Vgs 450mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 160W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 900pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 37 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.12 $5.02 $4.92
Minimale: 1

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