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SGSD100

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: SGSD100
Beschreibung: TRANS NPN DARL 80V 25A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 130W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer SGSD100
Betriebstemperatur -
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Vce Sättigung (Max.) 3.5V @ 80mA, 20A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 25A
Strom - Collector Cutoff (Max) 500µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 500 @ 10A, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 80V

Auf Lager 50 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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