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SCT20N120

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SCT20N120
Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +25V, -10V
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Basis-Teilenummer SCT20
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 290mOhm @ 10A, 20V
Verlustleistung (Max.) 175W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket HiP247™
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 650pF @ 400V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V

Auf Lager 94 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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