SCT20N120
Hersteller: | STMicroelectronics |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | SCT20N120 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | +25V, -10V |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Basis-Teilenummer | SCT20 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 200°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 290mOhm @ 10A, 20V |
Verlustleistung (Max.) | 175W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | HiP247™ |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 45nC @ 20V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 650pF @ 400V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Auf Lager 94 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$13.87 | $13.59 | $13.32 |
Minimale: 1