Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
PD20010-E
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | PD20010-E |
| Beschreibung: | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 11dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 2GHz |
| Verpackung | Tube |
| Teilstatus | Active |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 150mA |
| Paket / Fall | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) |
| Leistung - Ausgang | 10W |
| Spannung - Test | 13.6V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 40V |
| Basis-Teilenummer | PD20010 |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | 5A |
| Lieferanten-Gerätepaket | PowerSO-10RF (Formed Lead) |
Auf Lager 463 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $18.17 | $17.81 | $17.45 |
Minimale: 1
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