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IRF630

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRF630
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MESH OVERLAY™ II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Basis-Teilenummer IRF6
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 75W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 700pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 18960 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.09 $1.07 $1.05
Minimale: 1

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