Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

2ST501T

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2ST501T
Beschreibung: TRANS NPN DARL 350V 4A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 100W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer 2ST50
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 1.5V @ 2mA, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 4A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 2000 @ 2A, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 350V

Auf Lager 356 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.46 $1.43 $1.40
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

BUT11AFTU
ON Semiconductor
$1.45
FJPF5027RTU
ON Semiconductor
$1.3
MJB44H11G
ON Semiconductor
$1.24
BU406G
ON Semiconductor
$1.18
FJP13009TU
ON Semiconductor
$1.18