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UPA2825T1S-E2-AT

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: UPA2825T1S-E2-AT
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8HVSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.6mOhm @ 24A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta), 16.5W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max.) 57nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2600pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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