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UPA2815T1S-E2-AT

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: UPA2815T1S-E2-AT
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 11mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HWSON (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 47nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1760pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 77 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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