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RQJ0303PGDQA#H6

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RQJ0303PGDQA#H6
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) +10V, -20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 68mOhm @ 1.6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 800mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 3-MPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 625pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 86 pcs

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