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RQA0002DNSTB-E
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | RQA0002DNSTB-E |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH HWSON2 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | N-Channel |
| Vgs (Max.) | ±5V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-DFN Exposed Pad |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 750mV @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Verlustleistung (Max.) | 15W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 2-HWSON (5x4) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 16V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.8A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 79 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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