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RJP60F5DPK-01#T0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: RJP60F5DPK-01#T0
Beschreibung: IGBT 600V 80A 260.4W
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 74nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 260.4W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Testbedingung 400V, 30A, 5Ohm, 15V
Basis-Teilenummer RJP60F
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C 53ns/90ns
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3P
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.8V @ 15V, 40A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 80A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 600V

Auf Lager 179 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.07 $3.99 $3.91
Minimale: 1

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