Image is for reference only , details as Specifications

RJK60S7DPK-M0#T0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK60S7DPK-M0#T0
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) +30V, -20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion Super Junction
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 125mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 227.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-3PSG
Gate Charge (Qg) (Max.) 39nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2300pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$8.35 $8.18 $8.02
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STB27NM60ND
STMicroelectronics
$0
RJK60S7DPP-E0#T2
Renesas Electronics America
$7.71
IRFS3107PBF
Infineon Technologies
$7.05
IXFQ50N50P3
IXYS
$6.97
STH240N75F3-2
STMicroelectronics
$0