RJK60S7DPK-M0#T0
Hersteller: | Renesas Electronics America |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | RJK60S7DPK-M0#T0 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 30A TO-3PSG |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | +30V, -20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | Super Junction |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 125mOhm @ 15A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 227.2W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-3PSG |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 39nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2300pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 66 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$8.35 | $8.18 | $8.02 |
Minimale: 1