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RJK6013DPE-00#J3

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK6013DPE-00#J3
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A LDPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-83
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 700mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 100W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 4-LDPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 37.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1450pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 11A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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