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RJK6011DJE-00#Z0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: RJK6011DJE-00#Z0
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 0.1A TO92
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 52Ohm @ 50mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 900mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-92MOD
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 25pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 50 pcs

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Minimale: 1

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