Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
RJH65D27BDPQ-A0#T2
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | RJH65D27BDPQ-A0#T2 |
| Beschreibung: | IGBT TRENCH 650V 100A TO247A |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 175nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 375W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 20ns/165ns |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247A |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.65V @ 15V, 50A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 61 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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