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R1RW0408DGE-2PR#B0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: R1RW0408DGE-2PR#B0
Beschreibung: IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tube
Technologie SRAM
Zugriffszeit 12ns
Speichergröße 4Mb (512K x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 36-SOJ
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns

Auf Lager 69 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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