Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

R1RP0408DGE-2LR#B0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: R1RP0408DGE-2LR#B0
Beschreibung: IC SRAM 4M FAST 36-SOJ
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tube
Technologie SRAM
Zugriffszeit 12ns
Speichergröße 4Mb (512K x 8)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Obsolete
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 36-SOJ
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 12ns

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

STK12C68-C35I
Cypress Semiconductor Corp
$0
FM25V02-G
Cypress Semiconductor Corp
$0
CY7C1041D-10ZSXI
Cypress Semiconductor Corp
$0
CY7C1041DV33-10BVI
Cypress Semiconductor Corp
$0
MT47H128M8SH-25E AAT:M TR
Micron Technology Inc.
$0