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R1LV0216BSB-7SI#B0

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: R1LV0216BSB-7SI#B0
Beschreibung: IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie SRAM
Zugriffszeit 70ns
Speichergröße 2Mb (128K x 16)
Speichertyp Volatile
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Speicherformat SRAM
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Basis-Teilenummer R1LV0216B
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 44-TSOP II
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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