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NP89N04NUK-S18-AY

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NP89N04NUK-S18-AY
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 89A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.3mOhm @ 45A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta), 147W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-262
Gate Charge (Qg) (Max.) 102nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5850pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 90A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 83 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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