NP83P04PDG-E1-AY
Hersteller: | Renesas Electronics America |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NP83P04PDG-E1-AY |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 40V 83A TO-263 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.3mOhm @ 41.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.8W (Ta), 150W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-263 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 200nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 9820pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 83A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 86 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1