NP36P06SLG-E1-AY
Hersteller: | Renesas Electronics America |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | NP36P06SLG-E1-AY |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 36A TO-252 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 30mOhm @ 18A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 1.2W (Ta), 56W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-252 (MP-3ZK) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 52nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3200pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 36A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 76 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1