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NP100P04PDG-E1-AY

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: NP100P04PDG-E1-AY
Beschreibung: MOSFET P-CH 40V 100A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta), 200W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-263
Gate Charge (Qg) (Max.) 320nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 15100pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 98 pcs

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