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N0412N-S19-AY

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: N0412N-S19-AY
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.7mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (Max.) 1.5W (Ta), 119W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 100nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5550pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 100A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 60 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.75 $0.74 $0.72
Minimale: 1

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