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HAT2287WP-EL-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2287WP-EL-E
Beschreibung: MOSFET N-CH WPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 94mOhm @ 8.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-WPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 26nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 74 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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