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HAT2210RWS-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: HAT2210RWS-E
Beschreibung: MOSFET N-PAK 8SOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky
FET-Funktion Logic Level Gate, 4.5V Drive
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 1.5W (Ta)
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C
Rds On (Max) bei Id, Vgs 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7.5A (Ta), 8A (Ta)

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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