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HAT2210RWS-E
| Hersteller: | Renesas Electronics America |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt: | HAT2210RWS-E |
| Beschreibung: | MOSFET N-PAK 8SOP |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Renesas Electronics America |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Serie | - |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Teilstatus | Obsolete |
| Leistung - Max | 1.5W (Ta) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | 150°C |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 24mOhm @ 3.75A, 10V, 22mOhm @ 4A, 10V |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOP |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 4.6nC @ 4.5V, 11nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 630pF @ 10V, 1330pF @ 10V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 7.5A (Ta), 8A (Ta) |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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