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HAT2174H-EL-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2174H-EL-E
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 20A 5LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 27mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 20W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 33.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2280pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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