Image is for reference only , details as Specifications

HAT2169H-EL-E

Hersteller: Renesas Electronics America
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: HAT2169H-EL-E
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.5mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 30W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 45nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6650pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 66 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

FDB075N15A
ON Semiconductor
$0
STH315N10F7-2
STMicroelectronics
$0
IPB017N10N5LFATMA1
Infineon Technologies
$0
IXFH75N10
IXYS
$11.88
IXTH16N20D2
IXYS
$11.8