HAT1126RWS-E
Hersteller: | Renesas Electronics America |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | HAT1126RWS-E |
Beschreibung: | MOSFET P-CH SOP8 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Renesas Electronics America |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | - |
FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 3W (Ta) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Betriebstemperatur | 150°C |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 3A, 10V |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOP |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 37nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 2300pF @ 10V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 6A (Ta) |
Auf Lager 91 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1