Image is for reference only , details as Specifications

HFA3127RZ

Hersteller: Renesas Electronics America Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: HFA3127RZ
Beschreibung: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad
Transistortyp 5 NPN
Basis-Teilenummer HFA3127
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 8GHz
Lieferanten-Gerätepaket 16-QFN (3x3)
Rauschfigur (dB-Typ f) 3.5dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 65mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 150 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$10.13 $9.93 $9.73
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

CM5160
Central Semiconductor Corp
$8.14
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
KSC1674YBU
ON Semiconductor
$0.3
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
$0