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HFA3127R

Hersteller: Renesas Electronics America Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: HFA3127R
Beschreibung: RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen -
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 16-VFQFN Exposed Pad
Transistortyp 5 NPN
Basis-Teilenummer HFA3127
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Frequenz - Übergang 8GHz
Lieferanten-Gerätepaket 16-QFN (3x3)
Rauschfigur (dB-Typ f) 3.5dB @ 1GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 65mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 40 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 56 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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