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US6T9TR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: US6T9TR
Beschreibung: TRANS 2PNP 30V 1A 6UMT
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 400mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 320MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT6
Vce Sättigung (Max.) 350mV @ 25mA, 500mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 270 @ 100mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 30V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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