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US6J11TR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: US6J11TR
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 320mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Basis-Teilenummer *J11
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 260mOhm @ 1.3A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket TUMT6
Gate Charge (Qg) (Max.) 2.4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 290pF @ 6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.3A

Auf Lager 851 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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