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UMZ8NTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: UMZ8NTR
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V/12V UMT6
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp NPN, PNP
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 180MHz, 260MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT6
Vce Sättigung (Max.) 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 150mA, 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V, 12V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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