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UMT18NTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: UMT18NTR
Beschreibung: PNP+PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 260MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT6
Vce Sättigung (Max.) 250mV @ 10mA, 200mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 270 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 12V

Auf Lager 3000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.48 $0.47 $0.46
Minimale: 1

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