Image is for reference only , details as Specifications

UMG9NTR

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: UMG9NTR
Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Basis-Teilenummer *MG9
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT5
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 10kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 30 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 3278 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

UMH2NTN
ROHM Semiconductor
$0
EMG6T2R
ROHM Semiconductor
$0
EMG2DXV5T5G
ON Semiconductor
$0
UMF5NTR
ROHM Semiconductor
$0
RN1904,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0