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UMB3NFHATN

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: UMB3NFHATN
Beschreibung: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Transistortyp 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket UMT6
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 2994 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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